N3D

Лаборатория компьютерных исследований

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта
Главная Новости SGT – транзистор с многослойным затвором

SGT – транзистор с многослойным затвором

E-mail Печать PDF

Основанная в 2004 году японская компания Unisantis объявила о начале 2-годичных совместных с Институтом Микроэлектроники Сингапура (Singapore's Institute of Microelectronics) исследований в области разработки трехмерного транзистора. Его кодовое название – Stacked Gate Transistor (SGT – транзистор с многослойным затвором). По мнению исследователей, он увеличит скорость процессоров до 20 – 50 ГГц.

транзистор с многослойным затвором 

Одним из руководителей разработчиков является Фуджио Масуока (Fujio Masuoka) – ученый с мировым именем в области физики полупроводников (именно он был создателем flash-памяти в компании Toshiba). На данный момент основной сферой применения трёхмерных структур являются SSD-устройства (твердотельные накопители), в них исток, затвор и сток транзистора расположены вертикально, в отличие от традиционного горизонтального размещения. Это позволяет создавать быструю, прочную и компактную память.

 

строение

По мнению Unisantis, сфера применения SGT значительно шире рынка накопителей, трёхмерные транзисторы станут следующим витком эволюции этих устройств, полностью вытеснив плоские из всех областей их использования. Если производительность одного потока с использованием этих транзисторов вырастет, то увеличится и скорость работы программ. Быстродействие системы снова будет зависеть не только от программистов, но и от изготовителей чипов.

Сроки внедрения этих транзисторов в производство пока не определены даже приблизительно, и вероятно они примерно совпадут с появлением 10-ядерных процессоров (преемников Nehalem). Может быть, использование SGT замедлит увеличение количества ядер в процессорах.

Источник:

Обновлено 11.01.2009 22:26  

Вход

JoomlaWatch Stats 1.2.7 by Matej Koval

Countries

47.3%UNITED STATES UNITED STATES
26.3%RUSSIAN FEDERATION RUSSIAN FEDERATION
10.5%CANADA CANADA
5.2%TURKMENISTAN TURKMENISTAN
5.2%AUSTRIA AUSTRIA
5.2%TURKEY TURKEY

Visitors

Last week: 2
This month: 2
Last month: 10
Total: 50




Новости

20.04.2009 [10:00], Александр Бакаткин

В числе кандидатов на роль возможной замены кремнию, использующегося сегодня для изготовления большинства интегральных микросхем, применяющихся главным образом в вычислительной технике, присутствуют не только углеродные нанотрубки и листы графена. Еще одним многообещающим материалом является алмаз, тем более, что исследователям уже удавалось создавать алмазные транзисторы – японские ученые, сотрудники NTT, смогли сконструировать транзистор с алмазным затвором толщиной всего сто нанометров. Совсем недавно появилась информация, что сотрудникам Университета Глазго удалось существенно улучшить технологию изготовления аналогичных наноструктур.